Darmowa dostawa od 1499 PLN

- Koszyk (0)
  - Produkt [{[$index+1]}]:
    
    Ilość: Cena jednostkowa:
  Koszyk jest pusty
  
  Do bezpłatnej dostawy brakuje -,--
  
  Darmowa dostawa!
  
  Podsumowanie zamówienia
  
  Suma Netto 0,00 zł
  
  Suma Brutto 0,00 zł
  
  Cena uwzględnia rabaty

- Koszyk (0)
  - Produkt [{[$index+1]}]:
    
    Ilość: Cena jednostkowa:
  Koszyk jest pusty
  
  Do bezpłatnej dostawy brakuje -,--
  
  Darmowa dostawa!
  
  Podsumowanie zamówienia
  
  Suma Netto 0,00 zł
  
  Suma Brutto 0,00 zł
  
  Cena uwzględnia rabaty

SAMSUNG

(0)

Brak towaru

Dysk SSD Samsung 9100 PRO Heatsink 1TB M.2 2280 PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0 (14700/13300 MB/s)

Name: Dysk SSD Samsung 9100 PRO Heatsink 1TB M.2 2280 PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0 (14700/13300 MB/s)
Brand: SAMSUNG
Price: 1809.06 PLN
Availability: OutOfStock

Symbol: MZ-VAP1T0CW

Dostępność: 0 szt.

Powiadom gdy produkt będzie dostępny

Cena: 1809.06

szt.

Zamówienie telefoniczne: 512312135 Zostaw telefon

Wysyłka w ciągu: 24 godziny

Cena przesyłki:

Pojemność dysku: 1 TB

Format dysku: M.2 2280

Typ dysku: SSD

Typ kości pamięci: V-NAND

Technika zapisywania danych: TLC

Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.: Tak

Wsparcie dla technologii TRIM: Tak

Interfejs: M.2 PCIe NVMe

Prędkość odczytu (max): 14700 MB/s

Prędkość zapisu (max): 13300 MB/s

TBW (ang. Total Bytes Written): 600.0

Odczyt losowy: 1850000 IOPS

Zapis losowy: 2600000 IOPS

Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF): 1500000 h

Informacje dodatkowe: Pamięć zapisu: Samsung V-NAND TLC, Wymiary: Maks. 80.15 x Maks 25 x Maks 8.88mm (z Heatsinkiem), Waga: Maks. 28 g, Interfejs: PCIe5.0 x4 NVMe 2.0, Dopuszczalne napięcie 3,3 V ± 5 %, Temperatura pracy: 0°C - 70°C, Odporność na wstrząsy: 1.500 G oraz 0,5 ms (pół sinusa), Szyfrowanie AES 256-bit (klasa 0) TCG/Opal IEEE1667 (dysk szyfrowany)

Gwarancja producenta [mies.]: 60

Parametry:

Gwarancja producenta [mies.]:

Interfejs:

M.2 PCIe NVMe

Pojemność dysku:

1 TB

Format dysku:

M.2 2280

Typ dysku:

SSD

Technika zapisywania danych:

TLC

Prędkość odczytu (max):

14700 MB/s

Prędkość zapisu (max):

13300 MB/s

Średni czas miedzy uszkodzeniami (MTBF):

1500000 h

Odczyt losowy:

1850000 IOPS

Zapis losowy:

2600000 IOPS

Wsparcie dla technologii S.M.A.R.T.:

Tak

Wsparcie dla technologii TRIM:

Tak

TBW (ang. Total Bytes Written):

600.0

Typ kości pamięci:

V-NAND

Dane producenta

SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland

www.samsung.com/support

Osoba odpowiedzialna

SAMSUNG
PO Box 12987
D01F5P Dublin
Ireland

www.samsung.com/support

Nie ma jeszcze komentarzy ani ocen dla tego produktu.

Produkty o statusie: Polecane

Dysk SSD Samsung 9100 PRO Heatsink 1TB M.2 2280 PCIe 5.0 x4 NVMe 2.0 (14700/13300 MB/s)

Dostępność i dostawa

Dane producenta

Osoba odpowiedzialna

Produkty o statusie: Polecane

Zapisz się do Newslettera

Sklep zamknięty